Физ. и техн. полупровод. , 01.1978    Включает:   Шотов А.П. ,     Гришечкина С.П. ,     Копыловский Б.Д. ,     Жоховец С.В. Влияние сегнетоэлектрического фазового перехода на электрические характеристики p-n переходов в Pb_1-xGe_xTe , 01.1978 Copyright © БЕН РАН.

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад