Влияние сегнетоэлектрического фазового перехода на электрические характеристики p-n переходов в Pb_1-xGe_xTe
Общая информация
Шотов А.П.
,
Гришечкина С.П.
,
Копыловский Б.Д.
,
Жоховец С.В.
Физ. и техн. полупровод.
,
Т.12,N6
, 01.1978 , с. C.1132-1137
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад