Физ. и техн. полупровод. , 01.1979    Включает:   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. ,     Даварашвили О.И. Излучательная рекомбинация в эпитаксиальных слоях Pb_1-xSn_xSe(O<=x"приблизительно"< O.4) , 01.1979   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Бурбаев Т.М. Токовая фоточувствительность и время жизни неравновесных дырок в германии с примесью цинка , 01.1979 Copyright © БЕН РАН.

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад