Излучательная рекомбинация в эпитаксиальных слоях Pb_1-xSn_xSe(O<=x"приблизительно"< O.4)
Общая информация
Шотов А.П.
,
Засавицкий И.И.
,
Мацонашвили Б.Н.
,
Гуреев Д.М.
,
Даварашвили О.И.
Физ. и техн. полупровод.
,
Т.13,N9
, 01.1979 , с. C.1752-1755
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад