IV Всесоюз.совещ. по полупроводникам с узкой запрещенной зоной и полуметаллам. Труды

Общая информация




 

 Включает:

  1.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. ,     Даварашвили О.И. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев PbSnSe и PbSnTe




Copyright © БЕН РАН.


Home page
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а) 		Назад