Излучение взаимодействующих экситонов в Ge в сильных магнитных полях
Общая информация
Пенин Н.А.
,
Багаев В.С.
,
Галкина Т.И.
,
Гоголин О.В.
,
Алексеев А.С.
,
Семенов А.Н.
,
Стопачинский В.Б.
Письма в ЖЭТФ
,
Т.12,N5
, 01.1970 , с. C.203-205
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад