X-th Intern. Conf. on Physics of Semiconductors. Proc. 17-21 Aug.1970. Cambridge, Massachusetts / Ed.S.P.Keller, J.C.Hensel, F.Stern.

Общая информация




 

 Включает:

  1.   Bagaev V.S. ,     Galkina T.I. ,     Gogolin O.V. Excitons in Ge at High Concentrations and Low Temperatures

  2.   Vavilov V.S. ,     Murzin V.N. ,     Zayats V.A. New far infrared resonance absorption and emission of germanium at low temperature and optical generation of carriers




Copyright © БЕН РАН.


Home page
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а) 		Назад