Включает:   Багаев В.С. ,     Галкина Т.И. ,     Гоголин О.В. Коллективные свойства экситонов в Ge   Багаев В.С. ,     Падучих Л.И. ,     Плотников А.Ф. Исследование взаимодействия экситонов при больших плотностях в Si   Багаев В.С. ,     Падучих Л.И. ,     Сахоненко Т.С. Люминесценция нелегированного GaAs при высоких уровнях фотовозбуждения   Келдыш Л.В. Коллективные свойства экситонов в полупроводниках   Вавилов В.С. ,     Мурзин В.Н. ,     Заяц В.А. Низкотемпературное резонансное поглощение и излучение в далекой инфракрасной области при оптической генерации носителей Copyright © БЕН РАН.

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад