Письма в ЖЭТФ , 01.1972    Включает:   Багаев В.С. ,     Падучих Л.И. ,     Стопачинский В.Б. Низкотемпературная фотолюминесценция GaAs в условиях сильного взаимодействия неравновесных носителей , 01.1972 Copyright © БЕН РАН.

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад