Низкотемпературная фотолюминесценция GaAs в условиях сильного взаимодействия неравновесных носителей
Общая информация
Багаев В.С.
,
Падучих Л.И.
,
Стопачинский В.Б.
Письма в ЖЭТФ
,
Т.15,N9
, 01.1972 , с. C.508-512
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад