Особенности температурной зависимости интенсивности излучательной рекомбинации в кристаллах GaS_xSe_1-x
Общая информация
Багаев В.С.
,
Зайцев В.В.
,
Стопачинский В.Б.
,
Беленький Г.Л.
,
Годжаев М.О.
,
Салаев Э.Ю.
Письма в ЖЭТФ
,
Т.29,N1
, 01.1979 , с. C.50-54
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад