ЭПР фосфора в компенсированном n-Si при одноосном сжатии
Общая информация
Пенин Н.А.
,
Журкин Б.Г.
,
Гинодман В.Б.
,
Гладков П.С.
,
Михалевич В.Г.
Физ. и техн. полупровод.
,
Т.4,N9
, 01.1970 , с. C.1736-1739
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад