Высокочастотная модуляция 10-микронного излучения с помощью эффекта нагревания носителей электрическим полем в германии р-типа
Общая информация
Пенин Н.А.
,
Курбатов В.А.
,
Болтаев А.П.
,
Соловьев Н.Н.
Физ. и техн. полупровод.
,
Т.7,N10
, 01.1973 , с. C.1896-1900
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад