Физ. и техн. полупровод. , 01.1979    Включает:   Пенин Н.А. ,     Болтаев А.П. Влияние одноосного сжатия на разогревание носителей заряда в германии р-типа слабым электрическим полем , 01.1979   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Гейман К.И. ,     Матвеенко А.В. Гетеролазеры на основе Pb_1-xSn_xTe, получаемые методом мгновенного испарения в вакууме , 01.1979 Copyright © БЕН РАН.

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад