Физ. и техн. полупровод. , 01.1972    Включает:   Чуенков В.А. ,     Банная В.Ф. ,     Веселова Л.И. ,     Гершензон Е.М. Влияние компенсации примесей на электрический пробой в n-Ge , 01.1972 Copyright © БЕН РАН.

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад