Влияние компенсации примесей на электрический пробой в n-Ge
Общая информация
Чуенков В.А.
,
Банная В.Ф.
,
Веселова Л.И.
,
Гершензон Е.М.
Физ. и техн. полупровод.
,
Т.7,N10
, 01.1972 , с. C.1972-1977
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад