New far infrared resonance absorption and emission of germanium at low temperature and optical generation of carriers
Общая информация
Vavilov V.S.
,
Murzin V.N.
,
Zayats V.A.
X-th Intern. Conf. on Physics of Semiconductors. Proc. 17-21 Aug.1970. Cambridge, Massachusetts / Ed.S.P.Keller, J.C.Hensel, F.Stern.
, с. P.509-516
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад