Низкотемпературное резонансное поглощение и излучение в далекой инфракрасной области при оптической генерации носителей
Общая информация
Вавилов В.С.
,
Мурзин В.Н.
,
Заяц В.А.
Экситоны в полупроводниках / Под ред. Б.М.Вула
, с. С.32-49
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад