ЭПР взаимодействующих донорных кластеров в n-Si в диапазоне температур 0,5-4,2 к
Общая информация
Журкин Б.Г.
,
Гинодман В.Б.
,
Лыков А.Н.
,
Шульман Л.А.
Физ. и техн. полупровод.
,
Т.7
, 01.1973 , с. С.1697
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад