Инжекционные лазеры с двойной гетероструктурой на основе Pb_1-xSn_xSe, изготовленные методом молекулярной эпитаксии
Общая информация
Шотов А.П.
,
Вяткин К.В.
,
Синятынский А.А.
Письма в ЖТФ
,
Т.6,N16
, 01.1980 , с. C.983-986
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад