Физ. и техн. полупровод. , 01.1981    Включает:   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. ,     Гирич Б.Г. ,     Пелевин О.В. ,     Гейман К.И. ,     Матвеенко А.В. ,     Абрютина Т.П. ,     Николаева М.И. Влияние примесей на фотолюминесценцию эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xTe(х*О,2) , 01.1981 Copyright © БЕН РАН.

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад