Физ. и техн. полупровод. , 01.1981    Включает:   Шотов А.П. ,     Виноградов В.С. ,     Воронова И.Д. ,     Рагимова Т.Ш. Модель флуктуационного примесного потенциала. Описание фотоэлектрических и гальваномагнитных явлений в Pb_1-xSn_xTe с примесью In , 01.1981 Copyright © БЕН РАН.

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад