Модель флуктуационного примесного потенциала. Описание фотоэлектрических и гальваномагнитных явлений в Pb_1-xSn_xTe с примесью In
Общая информация
Шотов А.П.
,
Виноградов В.С.
,
Воронова И.Д.
,
Рагимова Т.Ш.
Физ. и техн. полупровод.
,
Т.15,N2
, 01.1981 , с. C.361-368
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад