Физ. и техн. полупровод.,Т.15,N11

Общая информация

 

 Включает:

  1.   Шотов А.П. ,     Кучеренко И.В. ,     Свистов А.Е. Исследование формы поверхности Ферми по угловой зависимости эффекта Шубникова-де Гааза в кристаллах Pb_1-xSn_xSe(x>0.3) , 01.1981

  2.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. Зависимость продольной и поперечной компонент g-фактора носителей тока от ширины запрещенной зоны твердых растворов Pb_1-xSn_xTe(0<=x<"примерно"3) и Pb_1-x_Sn_x_Se(0<=x<"примерно"0.08) , 01.1981

  3.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Флусов Г.В. ,     Старик П.М. Фотолюминесценция кристаллов Pb_1-x_Sn_xTe(x "приблизительно" 0,2) при небольшом ("приблизительно" 10~18 см~-3) уровне легирования индием , 01.1981




Copyright © БЕН РАН.


Home page
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад