Физ. и техн. полупровод.,Т.15,N11
Общая информация
Физ. и техн. полупровод.
, 01.1981
Включает:
Шотов А.П.
,
Кучеренко И.В.
,
Свистов А.Е.
Исследование формы поверхности Ферми по угловой зависимости эффекта Шубникова-де Гааза в кристаллах Pb_1-xSn_xSe(x>0.3)
, 01.1981
Шотов А.П.
,
Засавицкий И.И.
,
Мацонашвили Б.Н.
,
Гуреев Д.М.
Зависимость продольной и поперечной компонент g-фактора носителей тока от ширины запрещенной зоны твердых растворов Pb_1-xSn_xTe(0<=x<"примерно"3) и Pb_1-x_Sn_x_Se(0<=x<"примерно"0.08)
, 01.1981
Засавицкий И.И.
,
Мацонашвили Б.Н.
,
Флусов Г.В.
,
Старик П.М.
Фотолюминесценция кристаллов Pb_1-x_Sn_xTe(x "приблизительно" 0,2) при небольшом ("приблизительно" 10~18 см~-3) уровне легирования индием
, 01.1981
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад