Анализ факторов влияющих на пороговый ток генерации в инжекционном гетеролазере на основе Pb_1-xSn_xSe
Общая информация
Шотов А.П.
,
Даварашвили О.И.
,
Чиковани Р.И.
,
Елисеев П.Г.
,
Бычкова Л.П.
,
Сагинури М.И.
Квант. электрон.
,
Т.9,N11
, 01.1982 , с. C.2140-2150
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад