Письма в ЖТФ,Т.9,N14

Общая информация

 

 Включает:

  1.   Шотов А.П. ,     Синятынский А.А. PbS_1-xSe_x лазеры с контролируемым профилем концентрации носителей, изготовленных методом молекулярной эпитаксии , 01.1983




Copyright © БЕН РАН.


Home page
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад