PbS_1-xSe_x лазеры с контролируемым профилем концентрации носителей, изготовленных методом молекулярной эпитаксии
Общая информация
Шотов А.П.
,
Синятынский А.А.
Письма в ЖТФ
,
Т.9,N14
, 01.1983 , с. C.881-884
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад