Кратк. сообщ. по физ.,N2
Общая информация
Кратк. сообщ. по физ.
, 01.1984
Включает:
Шотов А.П.
,
Синятынский А.А.
Оптическое ограничение в полупроводниковых лазерах на основе PbS_1-xSe_x c контролируемым профилем концентрации носителей в активной области
, 01.1984
Головашкин А.И.
,
Кузнецова Т.И.
Модель зонной структуры и межзонные переходы в металлах с учетом гибридизированных состояний
, 01.1984
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад