Кратк. сообщ. по физ.,N2

Общая информация

 

 Включает:

  1.   Шотов А.П. ,     Синятынский А.А. Оптическое ограничение в полупроводниковых лазерах на основе PbS_1-xSe_x c контролируемым профилем концентрации носителей в активной области , 01.1984

  2.   Головашкин А.И. ,     Кузнецова Т.И. Модель зонной структуры и межзонные переходы в металлах с учетом гибридизированных состояний , 01.1984




Copyright © БЕН РАН.


Home page
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад