Резонансные состояния вблизи дна зоны проводимости в нелегированных кристаллах Pb_1-xSn_xSe(x=0.2-0.33)
Общая информация
Шотов А.П.
,
Кучеренко И.В.
,
Чижевский Е.Г.
,
Свистов А.Е.
,
Панкратов О.А.
Физ. и техн. полупровод.
,
Т.18,N9
, 01.1984 , с. C.1583-1587
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад