Автоволны концентрации носителей в инжекционных лазерах на основе PbS_1-xSl_x
Общая информация
Шотов А.П.
,
Мурашов М.С.
Квант. электрон.
,
Т.16,N12
, 01.1989 , с. C.2426-2432
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад