Свойства напряженных слоев ZnSe, выращенных на подложках из Si и ZnS фотостимулированной эпитаксией
Общая информация
Шотов А.П.
,
Максимовский С.Н.
,
Сидоров П.П.
Кратк. сообщ. по физ.
,
N3
, 01.1989 , с. C.38-40
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад