Пр. ФИАН,N157

Общая информация

 

 Включает:

  1.   Шотов А.П. ,     Гришечкина С.П. ,     Максимов М.Х. ,     Селиванов Ю.Г. Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных слоев n-Pb_1-xGe_xTe при структурном фазовом переходе сегнетоэлектрического типа , 01.1983




Copyright © БЕН РАН.


Home page
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад