Пр. ФИАН , 01.1983    Включает:   Шотов А.П. ,     Гришечкина С.П. ,     Максимов М.Х. ,     Селиванов Ю.Г. Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных слоев n-Pb_1-xGe_xTe при структурном фазовом переходе сегнетоэлектрического типа , 01.1983 Copyright © БЕН РАН.

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад