Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных слоев n-Pb_1-xGe_xTe при структурном фазовом переходе сегнетоэлектрического типа
Общая информация
Шотов А.П.
,
Гришечкина С.П.
,
Максимов М.Х.
,
Селиванов Ю.Г.
Пр. ФИАН
,
N157
, 01.1983 , с. 27 с. с ил.
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад