Зависимость ширины запрещенной зоны от состава полупроводниковых твердых растворов типа А~IVВ~VI
Общая информация
Шотов А.П.
,
Засавицкий И.И.
,
Мацонашвили Б.Н.
,
Курганский А.В.
Пр. ФИАН
,
N346
, 01.1985 , с. 24 c. c ил.
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад