18 th Intern. conf. on the Physics Semiconductor. Proc. Stokholm, 1986
Общая информация
Включает:
Shotov A.P.
,
Kutcherenko I.V.
,
Svistov A.E.
,
Itskevich E.S.
,
Kashirskaya L.M.
,
Pankratov O.A.
Resonant band and compositional disorder in narrow gap semiconductors lead-tin-selenide
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад