Термализация неравновесных фононов в а-Si:H
Общая информация
Галкина Т.И.
,
Алексеев А.С.
,
Бонч-Осмоловский М.М.
,
Левинсон И.Б.
,
Уткин-эдин Д.П.
Письма в ЖЭТФ
,
Т.37
, 01.1983 , с. С.490-492
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад