Физ. тверд. тела , 01.1982    Включает:   Пенин Н.А. ,     Максимовский С.Н. ,     Нолле Э.Л. ,     Лойко Н.Н. ,     Петров А.Э. ,     Турьянский А.Г. Зависимость концентрации углерода на поверхности эпитаксиальных пленок GaAs от величины разориентации подложки относительно кристаллографической плоскости , 01.1982 Copyright © БЕН РАН.

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад