Зависимость концентрации углерода на поверхности эпитаксиальных пленок GaAs от величины разориентации подложки относительно кристаллографической плоскости
Общая информация
Пенин Н.А.
,
Максимовский С.Н.
,
Нолле Э.Л.
,
Лойко Н.Н.
,
Петров А.Э.
,
Турьянский А.Г.
Физ. тверд. тела
,
Т.24,N9
, 01.1982 , с. C.2595-2598
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад