Физ. и техн. полупровод.,Т.19,N6
Общая информация
Физ. и техн. полупровод.
, 01.1985
Включает:
Пенин Н.А.
,
Курбатов В.А.
,
Соловьев Н.Н.
Температурная зависимость амплитудно-частотных характеристик фотопроводимости в полупроводнике с двухуровневой примесью (Ge:Hg)
, 01.1985
Засавицкий И.И.
,
Лишка К..
,
Хайнрих Х..
О ян-теллеровском центре в Pb_1-xSn_xTe
, 01.1985
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад