Тонкая структура спектра стимулированного длинноволнового ИК излучения p-Ge в сильных Е и Н полях
Общая информация
Мурзин В.Н.
,
Митягин Ю.А.
,
Чеботарев А.П.
,
Стоклицкий С.А.
,
Ноздрин Ю.Н.
,
Шастин В.Н.
,
Трофимов И.Е.
,
Муравьев А.В.
,
Павлов С.А.
Ж. техн. физ.
,
Т.57,N9
, 01.1987 , с. C.1847-1851
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад