Гетероструктура для инжекционных лазеров на основе Pb_1-xSn_xSe
Общая информация
Засавицкий И.И.
,
Мацонашвили Б.Н.
,
Зломанов В.П.
,
Флусов Г.В.
,
Трофимов В.Т.
,
Кашкур И.П.
Ж. техн. физ.
,
Т.51,N5
, 01.1981 , с. C.943-948
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад