Фотолюминесценция кристаллов Pb_1-x_Sn_xTe(x "приблизительно" 0,2) при небольшом ("приблизительно" 10~18 см~-3) уровне легирования индием
Общая информация
Засавицкий И.И.
,
Мацонашвили Б.Н.
,
Флусов Г.В.
,
Старик П.М.
Физ. и техн. полупровод.
,
Т.15,N11
, 01.1981 , с. C.2275-2277
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад