Физ. и техн. полупровод. , 01.1987    Включает:   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Матвеенко А.В. ,     Валейко М.В. ,     Саксеев Д.А. Фотолюминесценция квантово-размерных напряженных эпитаксиальных слоев и структур на основе Pb_1-xSn_xTe , 01.1987 Copyright © БЕН РАН.

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад