Фотолюминесценция квантово-размерных напряженных эпитаксиальных слоев и структур на основе Pb_1-xSn_xTe
Общая информация
Засавицкий И.И.
,
Мацонашвили Б.Н.
,
Матвеенко А.В.
,
Валейко М.В.
,
Саксеев Д.А.
Физ. и техн. полупровод.
,
Т.21,N1
, 01.1987 , с. С.57-62
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад