Пр.ФИАН,N259

Общая информация

 

 Включает:

  1.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Трофимов В.Т. Параметры глубокого центра в ненапряженных и напряженных эпитаксиальных слоях Pb_1-xSn_xTe:In(0<=x<=0,25) , 01.1988




Copyright © БЕН РАН.


Home page
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад