Зависимость от состава параметров глубокого центра в эпитаксиальных слоях Pb_1-xSn_xTe:In
Общая информация
Засавицкий И.И.
,
Мацонашвили Б.Н.
,
Трофимов В.Т.
Физ. и техн. полупровод.
,
Т.23,N11
, 01.1989 , с. C.2019-2026
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад