Квант. электрон. , 01.1981    Включает:   Кудрявцев Е.М. ,     Демин А.И. ,     Волков А.Ю. ,     Веденеев А.А. ,     Баканов Д.Г. ,     Одинцов А.И. ,     Федосеев А.И. ,     Спажакин В.А. ГДЛ с тепловой накачкой на переходах между уровнями мод v_1 и v_2 молекулы СО_2, излучающий в диапазоне 16,4-17,2 мкм , 01.1981 Copyright © БЕН РАН.

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад