ГДЛ с тепловой накачкой на переходах между уровнями мод v_1 и v_2 молекулы СО_2, излучающий в диапазоне 16,4-17,2 мкм
Общая информация
Кудрявцев Е.М.
,
Демин А.И.
,
Волков А.Ю.
,
Веденеев А.А.
,
Баканов Д.Г.
,
Одинцов А.И.
,
Федосеев А.И.
,
Спажакин В.А.
Квант. электрон.
,
Т.8,N7
, 01.1981 , с. C.1570-1573
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад