Образование слоя ЭДК при расширении облака неравновесных носителей заряда с околозвуковой скоростью
Общая информация
Сибельдин Н.Н.
,
Стопачинский В.Б.
,
Цветков В.А.
,
Тиходеев С.Г.
Письма в ЖЭТФ
,
Т.38,N4
, 01.1983 , с. C.177-180
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад