Кратк. сообщ. по физ.,N9

Общая информация

 

 Включает:

  1.   Шотов А.П. ,     Вяткин К.В. ,     Подтаев С.Ю. ,     Пименова Т.В. ,     Утробина И.К. ,     Федорова Н.М. Влияние условий выращивания эпитаксиальных пленок Pb_0.95Sn_0.05Se ( и качества подложки BaF_2 ) на свойства барьеров Шоттки , 01.1990




Copyright © БЕН РАН.


Home page
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад